Intels Fortschritte in der EUV-Technik - 1/5
02.08.2004 by holger
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Intels Fortschritte in der EUV-Technik - Ein Durchbruch in der Chip-Herstellung?

Am vergangenen Donnerstag wurden wir Journalisten in einer Telefonkonferenz von Ken David persönlich - Direktor der Components Research Group, Intel - über die Fortschritte in der EUV-Lithographie-Technik unterrichtet. In unserem Artikel wollen wir euch nicht mit wissenschaftlicher Grundlagenforschung, die an sich durchaus interessant und spannend ist, langweilen, sondern euch einen Ausblick in die mögliche Zukunft der Chipherstellung geben.

Ein wenig überrascht waren wir schon, dass Intel in einer NDA-Telefonkonferenz gleich Ken David, den Direktor der Components Research Group persönlich antreten lässt; nein, keinen Pressereferenten, der Direktor persönlich musste ran.

Doch wer ist dieser Ken David eigentlich? Beheimatet ist die Components Research Group in Hillsboro, Oregon. Ken startete seine Karriere 1982 bei Fairchild Semiconductor und wechselte 1984 zur Intel Corporation. Dort war er u.a. Factory Manager für Intels erste 130nm Plant, Fab 20.

Kommen wir nun endlich zum Kern unseres Artikels! Was stellt Intel am heutigen Montag denn nun so aufregend Neues der Weltöffentlichkeit vor?!

Intel konnte einen entscheidenden Meilenstein in der Umsetzung der „extreme-ultravilolet (EUV) Lithogragphy“ erreichen, einer Fertigungstechnik, die Intel im Jahre 2009 in der Mikroprozessorproduktion einzusetzen gedenkt. Mit der Installation des weltweit ersten kommerziellen EUV-Lithographie-Tools, dem sog. „Micro Exposure Tool“(MET) verlässt EUV die Forschungslabors und erreicht den Status einer Pilot-Produktionsumgebung. Darüber hinaus entwickelt Intel die EUV-Masken ebenfalls im eigenen Haus und kann eine erste Pilotanlage zur Produktion von EUV-Masken vorweisen, die das sog. „EUV mask making tool“, das sog.“ e-beam-tool“ zur Reparatur derselben sowie das „inspection tool“ umfasst. Aufgrund der immensen Komplexität der Materie wurde die EUV-Lithographie mit zahlreichen Firmen zusammen entwickelt, wie Media Lario, Cymer und NaWoTec.

Ziel der ganzen Entwicklungsbemühungen ist es natürlich mehr und mehr Transistoren auf einem Chip unterzubringen, was die Hersteller wiederum dazu zwingt, die Strukturen ständig zu verkleinern. Bisherige, konventionelle Lithographietechniken werden vermutlich in wenigen Jahren die Grenzen des Machbaren erreichen.

Um EUV-Lithographie besser zu verstehen, schauen wir uns zunächst einmal die Einordnung des EUV-Bereichs des Lichtes sowie dessen Wellenlänge an.

Die Wellenläge des EUV-Lichtes liegt zwischen molekularen und atomaren Strukturgrößen

Wie ersichtlich, wird extrem kurzwelliges Licht (13,5 nm oder 1.3x10^-6) benutzt, um Images von einer Maske auf einen Silizium-Wafer zu transferieren.

Weiter: 2. Die Problemstellungen der EUV-Lithographie

1. Durchbruch in der Lithographie-Technik
2. Die Problemstellungen der EUV-Lithographie
3. Die Rolle der Reflexion
4. Stand der Dinge
5. Ausblick in die Zukunft

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